Маҳсулот
RFTYT чипи сустшавӣ бо остин
Барраси
Ин чипи сустшавии навъи остин ҷузъи муҳими аттенюатори собит коаксиалӣ мебошад.Андозаи мувофиқро дар асоси басомадҳо ва талаботҳои қувваи гуногун интихоб кунед.Ба он як гармкунаки мувофиқи андозаи мувофиқро илова кунед ва онро ба аттенюатори коаксиалии лозимӣ тавассути пайвасткунакҳо ҷамъ кунед.
Ширкати мо микросхемаҳои сустшавии остинро бо қудрати аз 2 Вт то 50 Вт, аз ҷумла басомадҳои маъмулан истифодашавандаи 3G, 6G, 8G, 12.4G ва 18G таъмин ва мефурӯшад.Истифодабарандагон метавонанд мувофиқи ниёзҳои худ интихоб кунанд.Агар маҳсулоти дар ҷадвали боло овардашуда ба ниёзҳои шумо ҷавобгӯ набошанд, шумо инчунин метавонед бо кормандони фурӯшандаи мо тамос гиред, то маълумоти муфассалро дар бораи талаботи шумо барои мутобиқсозии махсус пешниҳод кунед.
Чипи сустшавии навъи остин ба чипи сустшавии микрострипи спиралӣ мансуб аст, ки дорои арзиши мушаххаси сустшавӣ ба найчаи гардиши металлии андозаи муайян ҷойгир карда шудааст (найча одатан аз маводи алюминий сохта шудааст ва оксидшавии гузаронандаро талаб мекунад ва инчунин метавонад бо тилло ё нуқра пӯшонида шавад. лозим).
Маводҳое, ки барои микросхемаҳои аттенуатсия истифода мешаванд, асосан аз гилхок, нитриди алюминий ва субстратҳои сафолии оксиди бериллий иборатанд.Интихоби мавод ва андозаи субстрат асосан ба басомад ва қудрати зарурӣ барои интихоби тарҳ асос ёфтааст.
Ширкати мо асосан ин чипи сабуккунандаи навъи остинро барои осон кардани интихоби муштариён ва истифодаи васлкунӣ ҷорӣ мекунад.Он эҳтиёҷоти муштариёнро барои аз нав тарроҳӣ ва коркарди остин пас аз харидани як чипи ягона бартараф мекунад ва вақт ва хароҷотро сарфа мекунад.
Ин чипи сустшавии навъи остин ҷузъи муҳими аттенюатори собит коаксиалӣ мебошад.Андозаи мувофиқро дар асоси басомадҳо ва талаботҳои қувваи гуногун интихоб кунед.Ба он як гармкунаки мувофиқи андозаи мувофиқро илова кунед ва онро ба аттенюатори коаксиалии лозимӣ тавассути пайвасткунакҳо ҷамъ кунед.
Ширкати мо микросхемаҳои сустшавии остинро бо қудрати аз 2 Вт то 50 Вт, аз ҷумла басомадҳои маъмулан истифодашавандаи 3G, 6G, 8G, 12.4G ва 18G таъмин ва мефурӯшад.Истифодабарандагон метавонанд мувофиқи ниёзҳои худ интихоб кунанд.Агар маҳсулоти дар ҷадвали боло овардашуда ба ниёзҳои шумо ҷавобгӯ набошанд, шумо инчунин метавонед бо кормандони фурӯшандаи мо тамос гиред, то маълумоти муфассалро дар бораи талаботи шумо барои мутобиқсозии махсус пешниҳод кунед.
Рӯйхат
| RFTYT RF силиндрӣ Chip сустшавии | ||||||
| Қувва | Диапазони басомадГГц | Маводи чип | Маводи парванда | Арзишҳои пастшавӣ (дБ) | VSWR(Макс) | Андоза (Φ*Лмм) |
| 2W | DC-18 | Al2O3 | Пӯшидани нуқраи мис | 1-10 | 1.25 | Φ5,4*3,2 |
| DC-18 | Al2O3 | Пӯшидани нуқраи мис | 15, 20, 25, 30 | 1.25 | Φ5,4*6,5 | |
| DC-12.4 | Al2O3 | Алюминий Оксидшавии гузаронанда | 1-10, 15, 20, 25 ва 30 | 1.30 | Φ7,15*6,5 | |
| 5W | DC-12.4 | БеО | Алюминий Оксидшавии гузаронанда | 1-10, 15, 20, 25 ва 30 | 1.30 | Φ7,15*6,5 |
| DC-18 | БеО | Алюминий Оксидшавии гузаронанда | 1-10, 15, 20, 25 ва 30 | 1.30 | Φ5,5*6,5 Φ7,15*6,5 | |
| 10 Вт | DC-18 | БеО | Алюминий Оксидшавии гузаронанда | 1-10, 15, 20, 25 ва 30 | 1.30 | Φ7,35*10,2 |
| 20 Вт | DC-6 | АЛН | Алюминий Оксидшавии гузаронанда | 1-10, 15, 20, 25 ва 30 | 1.20 | Φ7,2*48,0 |
| DC-10 | БеО | Алюминий Оксидшавии гузаронанда | 1-10, 15, 20, 25 ва 30 | 1.25 | Φ14*19.2 | |
| 30 Вт | DC-10G | БеО | Алюминий Оксидшавии гузаронанда | 1-10, 15, 20, 25 ва 30 | 1.25 | Φ14*32.2 |
| 50 Вт | DC-6 DC-8 | БеО | Алюминий Оксидшавии гузаронанда | 1-10, 15, 20, 25 ва 30 | 1.20 1.25 | Φ14*40.2 |
