махсулот

Маҳсулот

Қатъи фланец

Дар охири занҷир контурҳои фланецӣ насб карда мешаванд, ки сигналҳои дар занҷир интиқолшударо ҷабб мекунанд ва инъикоси сигналро пешгирӣ мекунанд ва ба ин васила ба сифати интиқоли системаи схема таъсир мерасонанд.

Терминали фланецӣ тавассути кафшери як резистори терминали ягона бо ҳалқаҳо ва часпакҳо ҷамъ карда мешавад.Андозаи ҳалқа одатан дар асоси омезиши сӯрохиҳои насбкунӣ ва андозаҳои муқовимати терминал тарҳрезӣ карда мешавад.Мутобиқсозӣ инчунин метавонад мувофиқи талаботи истифодаи муштарӣ анҷом дода шавад.


  • :
  • Тафсилоти маҳсулот

    Тегҳои маҳсулот

    Қатъи фланец

    Қатъи фланец
    Мушаххасоти асосии техникӣ:

    Қувваи номиналӣ: 5-1500W;
    Маводҳои зеризаминӣ: BeO, AlN, Al2O3
    Арзиши муқовимати номиналӣ: 50Ω
    Таҳаммулпазирии муқовимат: ± 5%, ± 2%, ± 1%
    Коэффисиенти ҳарорат:<150ppm/℃
    Ҳарорати корӣ: -55~+150℃
    Пӯшидани фланец: никели ё нуқрабандии ихтиёрӣ
    Стандарти ROHS: Мутобиқ бо
    Стандарти татбиқшаванда: Q/RFTYTR001-2022
    Дарозии сурб: L тавре ки дар варақаи маълумот нишон дода шудааст
    (мумкин аст тибқи талаботи муштарӣ фармоишгари)

    zxczxc1
    Қувва
    (В)
    Басомад
    Диапазон
    Андоза (воҳиди: мм) СубстратМатериал Конфигуратсия Рӯйхат
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Расми 1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Расми 1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Расми 2   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО Расми 2   RFT50-10TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Расми 1   RFT50A-10TM1304
    АлН Расми 1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Расми 1   RFT50A-10TM1104
    АлН Расми 1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 Расми 2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      АлН Расми 2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО Расми 1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 БеО Расми 1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО Расми 2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО Расми 2   RFT50-10TM7705I
    20 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО Расми 2   RFT50-20TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 АлН Расми 1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 АлН Расми 1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 АлН Расми 2   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО Расми 1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 БеО Расми 1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО Расми 2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО Расми 2   RFT50-10TM7705I
    30 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 АлН Расми 1   RFT50N-30TJ1606
    БеО Расми 1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН Расми 1   RFT50N-30TJ2006
    БеО Расми 1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН Расми 2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 БеО Расми 2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 АлН Расми 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 БеО Расми 1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН Расми 1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 БеО Расми 1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН Расми 2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 БеО Расми 2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Қувва
    (В)
    Басомад
    Диапазон
    Андозаҳо (воҳид: мм) Субстрат
    Материал
    Конфигуратсия Варақаи маълумот (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 БеО Расми 1   RFT50-100TM2595
    4 ГГц 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 БеО Расми 2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 БеО Расми 1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 БеО Расми 1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО Расми 4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО Расми 1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО Расми 1   RFT50-100TJ2510
    5 ГГц 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 БеО Расми 2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 БеО Расми 1   RFT50-100TM1663
    6 ГГц 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 АлН Расми 1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН Расми 1   RFT50N-100TJ2006B
    8 ГГц 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 АлН Расми 1   RFT50N-100TJ2006C
    150 Вт 3 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО Расми 4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 АИН Расми 1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 БеО Расми 1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО Расми 1   RFT50-150TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО Расми 4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО Расми 3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО Расми 1   RFT50-150TJ2510
    200 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 БеО Расми 1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО Расми 1   RFT50-200TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО Расми 2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО Расми 3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО Расми 1   RFT50-150TJ2510
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО Расми 1   RFT50-200TM3213B
    250 Вт 3 ГГц 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО Расми 3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО Расми 1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 БеО Расми 1   RFT50-250TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО Расми 1   RFT50-250TM3213B
    300 Вт 3 ГГц 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО Расми 1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО Расми 1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 БеО Расми 1   RFT50-300TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО Расми 1   RFT50-300TM3213B
    400 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО Расми 1   RFT50-400TM3213
    500 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО Расми 1   RFT50-500TM3213
    800 Вт 1 ГГц 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 БеО Расми 5   RFT50-800TM4826
    1000 Вт 1 ГГц 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 БеО Расми 5   RFT50-1000TM4826
    1500 Вт 0,8 ГГц 50,0 78,0 40,0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 БеО Расми 5   RFT50-1500TM5078

    Барраси

    Халқ одатан аз коркарди никел ё нуқра бо мис сохта шудааст.Субстрати муқовимат одатан аз оксиди бериллий, нитриди алюминий ва чопи оксиди алюминий мувофиқи талаботҳои қувва ва шароити паҳншавии гармӣ сохта мешавад.

    Терминатсияи фланецӣ, ба монанди Терминатсияи пешбаранда, асосан барои азхудкунии мавҷҳои сигнал, ки ба охири схема интиқол дода мешаванд, пешгирӣ кардани инъикоси сигнал аз таъсир ба схема ва таъмини сифати интиқоли системаи схема истифода мешавад.

    Терминатсияи фланецӣ дар муқоиса бо резисторҳои часпак аз сабаби ҳалқа ва сӯрохиҳои васлкунӣ дар ҳалқа хусусияти насби осон дорад.


  • гузашта:
  • Баъдӣ:

  • Паёми худро дар ин ҷо нависед ва ба мо бифиристед